Segondè Precision Beryllium Copper Tib C17200
Devlope wo-presizyon beryllium kwiv tiyo san pwoblèm pou estasyon baz 5G.Koulye a, li se sèl manifakti domestik la nan bon jan kalite beryllium kwiv tiyo san pwoblèm ak bon jan kalite ki estab ak ekipman pou mas.Dyamèt ekstèn lan ka 1.0 ~ 25mm ak epesè miray la se 0.08 ~ 6mm, tolerans la ka egzat a ± 0.01mm.Ekipman regilye konpayi an nan 2.0 * 1.6 2.0 * 1.8 3.5 * 3.2 3.95 * 3.65 ak lòt gwo presizyon beryllium kwiv tiyo san pwoblèm yo te lajman itilize nan ekipman estasyon baz 5G tankou Huawei, ZTE ak Nokia.
1. Konpozisyon chimik nan tib C17200
| Modèl | Be | Ni + Co | Ni + Co + Fe | Al | Si | Cu |
| C17200 | 1.8-2.0 | ≥0.20 | ≤0.6 | ≤0.2 | ≤0.2 | Rès |
2. Pwopriyete Fizik Tib C17200
| Eta | Fòs rupture | Sede fòs | Rockwell dite | 4×DA | Konduktivite elektrik | ||
| Mpa | 0.2%，Mpa | B | Elongasyon | IACS,% | |||
|
|
|
| min% |
| |||
| TB00 | Tretman chalè solisyon solid （A） | 410-590 | 140 | 45-85 | 20 | – | |
| TD04 | Eta Hardening (H) | Dyamèt <10mm | 620-900 |
| 88-103 |
|
|
|
|
|
| |||||
| Dyamèt: 10-25mm | 620-860 |
| 88-102 | 8 | > 17 | ||
| Dyamèt 25-75mm | 590-830 | 520 | 88-101 |
|
| ||
| Eta | Fòs rupture | Sede fòs | Rockwell dite | 4×DB | Konduktivite elektrik | ||
| Mpa | 0.2%，Mpa | B | Elongasyon | ||||
|
|
|
| min% | ||||
| TF00 | Tretman chalè nan depo (AT) | 1140-1380 | 1000 | 36-42 | 4 | – | |
| TH04 | Redi ak Depo Tretman Chalè Règleman (HT) | 1240-1580 | 1070 | 38-44 | 2 | >22 | |
3. Karakteristik nan C17200 Tib
Segondè fòs, segondè konduktivite, segondè rezistans fatig, segondè rezistans mete, ki pa mayetik
4. Aplikasyon C17200 Tib
Li se sitou itilize pou estasyon baz 5G, konektè kowaksyal, tib photomultiplier, enstriman presizyon segondè, ayewospasyal militè.